תא סולארי מסוג N מסוג N

טכנולוגיית Silicon Heterojunction (HJT) מבוססת על שדה פולט ושטח אחורי (BSF) המיוצרים על ידי צמיחת טמפרטורה נמוכה של שכבות אולטרה-דקות של סיליקון אמורפי (a-Si:H) משני הצדדים של פרוסות סיליקון

תא סולארי 210 ממ M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) הוא עם יעילות של 24.4 אחוזים והספק מדורג של 10.76 וואט לתא.

Silicon Heterojunction Technology (HJT) מבוססת על שדה פולט ושטח אחורי (BSF) המיוצרים על ידי צמיחת טמפרטורה נמוכה של שכבות דקות במיוחד של סיליקון אמורפי (a-Si:H) משני הצדדים של פרוסות סיליקון

טכנולוגיית TOPCON (מגע פאסיבי תחמוצת מנהרה) מגבירה את יעילות התאים הסולאריים מסוג N עד ל-25 אחוזים. תא סולארי TOPCon תעשייתי 210 ממ הוא עם יעילות מקסימלית של 24.4 אחוזים והספק מדורג של 10.76 וואט.

טכנולוגיית TOPCON (מנהרה תחמוצת מגע פסיביות) מגבירה את יעילות תאי השמש מסוג N עד 24.5%. תא סולארי חד -גוני N2 182 ממ TOPCon הוא בעל הספק מדורג 8.08 וואט ביעילות של 24.5%. פאנל סולארי דו -פנים המורכב

שודרג מטכנולוגיית PERT, טכנולוגיית TOPCON (מגע תחמוצת הפעלה תחמוצת) בשילוב שכבת פסיבציה של AlOx/ SiNx מגבירה את יעילות תאי השמש מסוג N 166 ממ עד 24.4%. תא סולארי מונו -גבישי מסוג 166 ממ TOPCon בעל

תאי שמש סיליקון מסוג N מונו דו-פנים (פולט פסיבי מאחור מפוזר לחלוטין) הם בעלי יעילות המרה גבוהה ומיוצבת. ניתן לייצר תאים סולאריים דו-פיסיים מסוג PERT עם זרימת תהליך באמצעות שתל יונים לסמים חד-צדדיים

תאי שמש סיליקון מסוג N מונו דו-פנים (פולט פסיבי מאחור מפוזר לחלוטין) הם בעלי יעילות המרה גבוהה ומייצבת. תאים סולאריים מסוג סיליקון מסוג N נחשבים לחלופות מבטיחות לתאים סולאריים מסוג P עבור תאים

במבנה התא האחורי המשולב (IBC) הפולט והמגע נמצאים שניהם בצד האחורי של רקיק המאפשר אופטימיזציה עצמאית של המשטח הקדמי לתכונות אופטיות ומשטח אחורי לתכונות אלקטרוניות של הפולט והמגעים. הראה ביצועים יוצאי

תאי שמש סיליקון מסוג N מונו דו-פנים (פולט פסיבי מאחור מפוזר לחלוטין) הם בעלי יעילות המרה גבוהה ומייצבת. תאים סולאריים מסוג סיליקון מסוג N נחשבים לחלופות מבטיחות לתאים סולאריים מסוג P עבור תאים