תא סולרי

טכנולוגיית Heterojunction סיליקון (HJT) מבוססת על שדה פולט ומשטח אחורי (BSF) המיוצרים על ידי צמיחה בטמפרטורה נמוכה של שכבות דקיקות במיוחד של סיליקון אמורפי (a-Si: H) משני צידי רקיקי סיליקון חד-גבישי

תא סולארי 210 ממ M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) הוא עם יעילות של 24.4 אחוזים והספק מדורג של 10.76 וואט לתא.

Silicon Heterojunction Technology (HJT) מבוססת על שדה פולט ושטח אחורי (BSF) המיוצרים על ידי צמיחת טמפרטורה נמוכה של שכבות דקות במיוחד של סיליקון אמורפי (a-Si:H) משני הצדדים של פרוסות סיליקון

טכנולוגיית TOPCON (מגע פאסיבי תחמוצת מנהרה) מגבירה את יעילות התאים הסולאריים מסוג N עד ל-25 אחוזים. תא סולארי TOPCon תעשייתי 210 ממ הוא עם יעילות מקסימלית של 24.4 אחוזים והספק מדורג של 10.76 וואט.

יעילות של 23% 210 ממ תא סולארי היא עם הספק מדורג של 10.14 וואט. 132 יחידות 210 ממ מונו PERC חתוכות למחצה, יכולות להרכיב פאנלים סולאריים בהספק של עד 670 וואט.

לייזר SE בשילוב טכנולוגיית PERC מייצרת הספק מדורג של 182 ממ לתא שמש עד 7.58 וואט ביעילות של 23%. 72 חלקים של 182 ממ תאים סולאריים מונו PERC בשילוב עם טכנולוגיה בחתך חצי יכול לייצר פאנלים סולאריים

טכנולוגיית TOPCON (מנהרה תחמוצת מגע פסיביות) מגבירה את יעילות תאי השמש מסוג N עד 24.5%. תא סולארי חד -גוני N2 182 ממ TOPCon הוא בעל הספק מדורג 8.08 וואט ביעילות של 24.5%. פאנל סולארי דו -פנים המורכב

שודרג מטכנולוגיית PERT, טכנולוגיית TOPCON (מגע תחמוצת הפעלה תחמוצת) בשילוב שכבת פסיבציה של AlOx/ SiNx מגבירה את יעילות תאי השמש מסוג N 166 ממ עד 24.4%. תא סולארי מונו -גבישי מסוג 166 ממ TOPCon בעל

תאי שמש סיליקון מסוג N מונו דו-פנים (פולט פסיבי מאחור מפוזר לחלוטין) הם בעלי יעילות המרה גבוהה ומיוצבת. ניתן לייצר תאים סולאריים דו-פיסיים מסוג PERT עם זרימת תהליך באמצעות שתל יונים לסמים חד-צדדיים

תאי שמש סיליקון מסוג N מונו דו-פנים (פולט פסיבי מאחור מפוזר לחלוטין) הם בעלי יעילות המרה גבוהה ומייצבת. תאים סולאריים מסוג סיליקון מסוג N נחשבים לחלופות מבטיחות לתאים סולאריים מסוג P עבור תאים

טכנולוגיית תאי PERC מגדירה ארכיטקטורת תאים סולריים השונה מארכיטקטורת התאים הסטנדרטית שנמצאת בשימוש כבר שלושה עשורים ובדרך כלל מופיעה בכל המדריכים הפוטו-וולטאיים. PERC הוא גבוה ברשימת החיסול של יעילות

PREC הוא קיצור של פולט פסיבי ותא אחורי. הוא מבוסס על תא סולארי סיליקון חד-גבישי מסוג P. טכנולוגיית תאי ה- PERC מגדירה ארכיטקטורה של תאים סולריים השונה מארכיטקטורת התאים הסטנדרטית שנמצאת בשימוש מזה