סימום גליום היא שיטה למניעת השפלה המושרה אור (LID), במיוחד בתאי PERC. באמצעות וופלים סיליקון Ga-מסומם עבור יישום תא סולארי בהחלט תוצאות ביצועים טובים יותר של תאים סולריים ומודולי PV, כמו גם את השיפור של האמינות לטווח ארוך שלהם.
דיאגרמה סכמטית של תא סולרי PERC
על פי ההודעה לעיתונות, שין-Etsu כימית מחזיקה מספר פטנטים על סימום גליום גבישי סיליקון ועל שימוש גליום מסומם p-סוג סיליקון וופלים בייצור של תאים פוטו וולטאי (PV).
זה ידוע כי תאים סולריים העוסים שימוש בוופלים מסוג p-סמים בורון סובלים מהשפלה המושרה אור (LID). זה קורה בשעות הראשונות מאוד כי התאים הסולאריים p-סוג הגבישי p-סוג סיליקון מסומם נחשפים לשמש, גורם לאובדן ביצועים והשפלה כללית של יעילות המרה.
LID זה קשור להיווצרות של קומפלקס החמצן בורון, אשר פועל כפגם מזיק ומפחית את אורך דיפוזיה נשא מיעוט. למרות הרבה מחקר נכנס לאפיון והפחתת הסיכון של LID עד כה, תאים סולאריים תעשייתיים עדיין סובלים מסוגים שונים של הפסדי יעילות המושרה אור.
שימוש בסם גליום למניעת LID
עם זאת, יש אלטרנטיבה תעשייתית סיליקון מסומם בורון – סיליקון מסומם גליום. הוא חשב להיות חסין מפני LID, במיוחד כאשר הוא משמש בתאי PERC.
באוקטובר 2019, חברה סינית מבוססת, JA Solar, זכתה בזכויות קניין רוחני עבור טכנולוגיית סימום גליום משלה המשמשת בייצור תאים פוטו-וולטאיים (PV). JA השמש הסביר כי הטכנולוגיה הקניינית שלה יכול ביעילות למתן את אפקט LID על מודולי PV כי הם מורכבים עם וופלים סיליקון מסוג p.
"באמצעות וופלים סיליקון Ga-מסומם עבור יישום תא סולארי בהחלט תוצאות ביצועים טובים יותר של תאים סולריים ומודולי PV, כמו גם את השיפור של האמינות לטווח ארוך שלהם," אמר יו"ר ומועצת המנהלים ג'ין Baofang.
החברה מחזיקה גם במספר פטנטים על סימום גליום גבישי סיליקון ועל שימוש בוופלים סיליקון גבישיים מסוג P-סימום גליום בייצור תאי PV.
וופל סולרי סיליקון מסומם
Ga מסומם סיליקון סולרי וופל 210mm M12 G12
Ga מסומם סיליקון סולרי וופל 166mm M6
Ga מסומם סיליקון סולרי וופל 161.7mm M4
Ga מסומם סיליקון סולרי וופל 158.75mm G1 ריבוע מלא
Ga סומם סיליקון סולרי וופל 156.75mm M2
